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井上 多加志; 宮本 賢治; 永瀬 昭仁*; 奥村 義和; 渡邊 和弘
JAERI-Tech 2000-023, p.27 - 0, 2000/03
JT-60U大型負イオン源は45cm110cmという大面積電極から大電流負イオンビームを生成する。一方、JT-60UのN-NBI入射ポート断面積は約60cm50cmと狭小であり、ビーム損失を抑え高い効率で中性粒子ビームを入射するためには、加速管内での不整なビーム偏向を補正し、かつビームを集束する必要がある。本報告は電極孔変位(孔ズレ)によるビーム偏向について行った実験と設計検討の結果をまとめたものである。実験には3段階加速構造をもつ400keV負イオン源を用い、JT-60U N-NBIのフルパワー運転と同じパービアンスを保ってビーム偏向を行った。この結果電子抑制磁場によるビーム偏向の補正には電子抑制電極を、またビーム集束のために接地電極を変位させる、JT-60U大型負イオン源の電極孔パターンの設計を確定した。
奥村 義和; 水谷 泰彦*; 小原 祥裕
Review of Scientific Instruments, 51(4), p.471 - 473, 1980/00
被引用回数:21 パーセンタイル:89.72(Instruments & Instrumentation)中性粒子入射加熱装置用の大電流イオン源では、入射効率を上げるためにビームレットを集束させることが必要である。そのような集束は、加速性の電極孔をずらして、ビームレットを偏向させることにより得られる。この論文では、二段加速系におけるビームレット偏向の効果を実験的に調べた。